2025年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。現在、その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。
本セミナーでは、最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクスとはなに
- パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 最近のトピックスから
- パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- MOSFET特性改善を支える技術
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT薄ウェハ化の限界
- IGBT特性改善の次の一手
- 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
- シリコンIGBTの実装技術
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
- 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
- SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
- 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- 内蔵ダイオード信頼性向上技術
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
- 酸化ガリウムの特徴は何
- 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
- SiCパワーデバイス実装技術の進展
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
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- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 180,000円(税別) / 198,000円(税込)
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- 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
- 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
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