SiCパワーデバイスの概要、その信頼性と国際規格動向対応、今後の展望

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本セミナーでは、SiCパワーデバイスの信頼性向上に向けた最新技術や課題、さらに国際規格の動向について解説いたします。

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プログラム

SiCパワーデバイスは、電力変換効率や高温耐性に優れ、今後の産業において重要な役割を果たします。  本セミナーでは、SiCパワーデバイスの信頼性向上に向けた最新技術や課題、さらに国際規格の動向について深掘りします。技術者や設計者にとって、実務に役立つ知識を提供し、最新の規格に対応するための具体的な対策を学ぶことができます。SiC技術の導入や品質向上に向けた重要な情報を得られる貴重な機会です。

  1. はじめに
    1. SiCデバイスの市場動向
      1. SiCデバイスの品質レベル向上のインパクト
      2. 鉄道から普及が始めるSiC場デバイス
    2. SiCデバイスの特徴と課題
  2. SiCデバイスの信頼性と国際規格動向
    1. ゲート閾値電圧測定法
      1. ゲート閾値電圧測定の基礎
      2. ゲート閾値電圧測定法の種類と特徴
    2. AC-BTI試験法
      1. SiCデバイスのDCとAC-BTIの劣化
      2. 国際標準化の状況
    3. ゲート酸化膜信頼性 (TDDB)
      1. SiCのTDDB試験法と課題
      2. TDDB試験方法の国際動向
    4. Dynamic HTFB試験法
      1. 急激に進展する中国SiC材料メーカ
      2. SiC結晶欠陥と材料評価としての Dynamic HTFB試験法
    5. Power Cycle 試験法
      1. SiCデバイスのPw-Cycleの課題
      2. Pw-Cycle試験方法の国際動向
  3. SiCデバイスの今後の展望、まとめ

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