半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望

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本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。

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プログラム

半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、パターン微細化に伴う半導体露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与について数式を用いて詳しく説明し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。  そして、多層膜反射光学系を含むEUV露光装置とその関連技術の特徴、最新状況、今後の展望について説明する。最後に、露光装置によって形成される光学像強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

  1. 半導体高集積化のトレンドと露光装置の位置づけ
  2. 露光装置概観
    1. 半導体露光装置の露光方式の進化
    2. 露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
      • 部分的コヒーレンス理論
      • 解像度
      • 解像度向上策
      • 重ね合わせ精度
      • スループット etc.
  3. EUV露光装置
    1. EUV露光装置の特徴
      • 光源
      • 多層膜反射光学系
      • 真空ステージ
      • EUVマスク etc.
    2. EUV露光装置の高NA化と将来展望
    3. レジスト材料の原理
    4. Cost of Ownership

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