生成AIの登場により、半導体製品に対する需要は堅調に高まっています。集積回路中のトランジスタ数の増加速度を予測する「ムーアの法則」の終焉が指摘されるようになってから久しいですが、昨年には高NA – EUV露光装置が半導体デバイスメーカーに納品され、半導体の高密度化のトレンドは今後も続くと見られます。
本講座では、微細加工技術のキモとも言えるフォトリソグラフィについて、従来技術および先端EUVリソグラフィについて、物理学的な視点で基礎を解説します。EUV露光装置およびEUV光とレジストとの相互作用について特に詳しく解説します。加えて、EUVリソグラフィの応用事例や課題、課題解決に向けた最近の取り組みについて紹介します。
- 微細加工技術
- トランジスタの変遷
- 微細加工技術の基礎
- 微細加工パターンの評価手法
- フォトリソグラフィの基礎
- フォトリソグラフィ技術の原理
- フォトリソグラフィの歴史
- フォトリソグラフィの特徴
- レジスト材料
- EUVリソグラフィの基礎
- 装置構成
- EUV光の発生原理
- 光学系
- レジストとEUV光の相互作用
- EUV露光システムの特徴
- EUVリソグラフィ材料
- EUVレジスト
- EUVレジスト周辺材料
- EUVフォトマスク
- EUVペリクル
- EUVリソグラフィの応用事例
- GAAトランジスタ
- EUVリソグラフィの課題と展望
- 最新のEUVリソグラフィのパフォーマンス
- EUV光源開発の取り組み紹介
- EUVレジスト開発の取り組みの紹介
- レジスト検査技術開発の取り組みの紹介
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