半導体技術における微細化のコスト限界を迎えるなか、後工程を活用したチップレット、3次元集積技術が今後の半導体開発の鍵となっている。本講義では、 (1) 先端3Dロジック半導体、 (2) チップレット集積について、学会等のデータをもとに先端研究開発の最新動向を紹介する。特に、2nmノード以降のロジック半導体で期待される「Backside Power Delivery Network (BSPDN) 」やチップレットにおける「ハイブリッド接合技術」が注目されている。ハイブリッド接合は、裏面照射型CMOSセンサーや3Dフラッシュメモリなどで実用化が進んでいる。
また、チップレット集積への応用では装置、材料、集積技術のすべてにおいて課題が山積しており、各社熾烈な開発競争が繰り広げられている。講義では、これら技術や評価手法、最新動向を解説する。
- 3Dロジックデバイス
- Wafer-to-Waferハイブリッド接合
- ハイブリッド接合とは?
- 開発動向
- Cuパッドデザイン
- アライメント精度
- 接合絶縁膜
- めっき技術
- CMP技術
- 洗浄技術
- プラズマ活性化技術
- 接合強度測定
- Die-to-Waferハイブリッド接合
- チップレット
- ダイレベルハイブリッド
- ダイボンダー
- コレクティブボンディング
- リコンストラクティッドボンディング
- 接合強度測定手法
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