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メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム

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本セミナーでは、EUVリソグラフィについて取り上げ、EUVリソグラフィーの基礎からEUVフォトプロセスの最適化と評価、最新のメタルレジストについて解説いたします。

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プログラム

近年2nmスケールの半導体が非常に注目を集めている。その中の核技術の1つとしてレジストがあげられる。本講演では1) メタルレジストがなぜ重要か、2) 各社が開発したメタルレジスト、3) EUV光利用におけるメタルレジストの必要性、4) メタルレジストのEUV露光による反応機構を中心に講演を行っていく。必要に応じて、2nmスケール半導体作製における核技術、世界動向についても講演を行う。

  1. レジスト
    1. 半導体構造
      1. ムアーの法則
      2. スケーリング則
      3. 平面構造FET構造の限界
      4. 平面構造FET構造以降のデバイス構造
      5. RapidusのGAA構造
      6. GAAフォークシート構造
      7. CFET構造
      8. ムアーの法則と半導体構造
      9. デバイス構造の推移予想
      10. 半導体の製造を行う会社数推移
    2. レジストとリソグラフィ
      1. レジスト露光光源の推移
      2. レジスト露光とcritical dimension
      3. リソグラフィのスケーリング則
      4. 現在のリソグラフィ
      5. LELE (Litho-etch Litho-etch)
      6. SADP (Self Aligned Double Patterning)
      7. 次世代リソグラフィ技術
      8. デバイスの微少化に必要なこと
    3. EUVとメタルレジスト
      1. 回路パターンに必要なこと
      2. レイリーの式
      3. EUV光源の周辺技術
      4. EUV露光のミラー
      5. 何故Mo/Si多層膜がEUV露光のミラーに適しているのか
      6. ASML社製のEUV露光装置
      7. Rapidusが納品したASML社製のNA0.33EUV露光装置
      8. ASML社製のNA0.55EUV露光装置
      9. high NA EUVで生じる偏光問題をどのように解決するか
      10. high NA EUVで用いられているミラー
      11. high NA EUV露光過程の動画 (ASML社 TWINACAN EXE:5000)
      12. high NA EUVロードマップ
      13. EUVレジスト側で必要なこと
      14. EUV光吸収率の元素依存性
      15. EUV露光用新規レジストの必要性
      16. 高感度EUVレジスト材料に求められるもの
      17. メタルレジスト
      18. 化学増幅型有機レジストとメタルレジスト
      19. メタルレジストのEUV露光に対する優位性
      20. メタルレジストの開発の歴史
    4. 余談
      1. チップレットとは
      2. ファンダリーとは
      3. NAとは
      4. レジストにおけるトレードオフ
  2. メタルレジスト
    1. メタルレジストの基礎物性
      1. 無機レジスト材料
      2. 元素の光学濃度値
      3. 材料設計を考慮する際に重要なEUV光による吸収率の元素依存性
      4. EUV光によって吸収される元素の軌道
    2. 各社が開発したメタルレジスト
      1. Inpriaのメタルレジスト作製の歴史
      2. Inpriaのメタルレジストの種類
      3. コーネル大学のメタルレジスト作製の歴史
      4. コーネル大学のメタルレジストの種類
      5. EIDECのメタルレジスト作製の歴史
      6. EIDECのメタルレジストの種類
      7. SUNY Polytechnic Instituteの歴史及び種類
      8. ドライメタルレジスト (Lam research)
      9. ドライメタルレジストの利点
  3. メタルレジストのEUV露光による反応機構の解析、および大気安定性
    小生の研究を元に
    1. メタルレジストのEUV露光による反応機構
      1. XRDによるEUV露光による構造変化解明
      2. 光電子分光によるEUV露光による反応元素解明
      3. X線吸収分光法によるEUV露光による反応化学結合解明
    2. メタルレジストの大気安定生
      1. 光電子分光によるメタルレジストの大気暴露下での化学状態
      2. X線吸収分光法によるによるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明
      3. 光電子分光によるEUV露光したメタルレジストの大気暴露下での化学状態
      4. X線吸収分光法によるによるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明
  4. 質疑応答

受講料

  • 1名様: 25,600円(税別) / 28,160円(税込)
  • 複数名: 19,000円(税別) / 20,900円(税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 19,000円(税別) / 20,900円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 25,600円(税別) / 28,160円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 38,000円(税別) / 41,800円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 57,000円(税別) / 62,700円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

  • 「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
  • お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
  • 別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
  • 視聴期間は2025年5月8日〜21日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は印刷・送付いたします。
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  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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