本セミナーでは、半導体製造におけるCMP技術を取り上げ、CMPのモニタリング手法から評価手法、微粒子計測などの研究事例、SiC高速研磨事例、半導体におけるCMPの将来展望までを詳解いたします。
日時
- 2025年4月4日 13時00分〜 2025年4月7日 16時30分
開催予定
プログラム
セミナーでは最初にCMPの導入経緯から量産における問題点など幅広い観点で解説する。セミナーの前半部分では、最初にシリコン半導体を中心に共同研究で実施してきた内容について紹介する。 ここではCMPのモニタリング手法や光学的フーリエ解析を用いたポリシングパッドの評価手法、低屈折率透明パッドによる微粒子計測などの研究事例を取り上げる。後半部分は水酸化フラーレンやインプラ法によるSiC高速研磨事例について取り上げる。最後に半導体におけるCMPの将来展望について解説する。
- CMP技術が導入背景
- 平坦化手法としてのCMPの導入
- リソグラフィーとCMPスペックとの関係
- ダマシン法におけるCMPの適用
- 研磨レートの考え方
- ディッシング・エロージョンの問題
- STI-CMPへの適用事例
- Cu-CMPにおける選択比の考え方
- CMP装置の概要パワー半導体とシリコン半導体の違い
- 研磨レートの大幅な違い
- 装置構成
- スラリーについて
- ポリシングパッドについて
- シリコン半導体での適用例
- パワー半導体の適用例
- まとめ
- シリコン半導体に関する研究事例
- CMPモニタリング手法について (モアレ検出法の導入)
- ポリシングパッドの表面モニタリング
- 低屈折立透明パッドを適用したスラリー開発
- 材料除去メカニズムの考案
- パワー半導体に関する研究事例
- ハワー半導体の研究動向
- ハイブリッド微粒子による高速研磨
- 水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化
- イオンインプラ法を適用したSiCの高速研磨手法の提案
- CMPの将来展望について
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 36,000円(税別) / 39,600円(税込) で受講いただけます。
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- R&D支援センターからの案内を希望する方
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- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
アーカイブ配信セミナー
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- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
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- 視聴期間は2025年3月31日〜4月7日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。