現在の開発テーマの多くは温室効果ガスの削減に関するテーマであり、半導体業界においても例外ではない。温室効果ガスの削減においては再可能エネルギーの立ち上げは重要課題であるがここではパワーデバイスの高効率化が必要となりSiCやGaNの採用、それに伴う耐熱や放熱への対応がテーマとなり、また自動車の電動化においてもパワーデバイスによる省電力化やデバイスの高速通信化に対応するための封止材の低誘電化、放熱がテーマとなる。パッケージも小型化を目指してのチップレット化に伴う2.5Dパッケージの出現によって封止材に対する要求も多様化してきた。本講義ではこのようなトレンドの流れとそれに対する封止材の対応について説明する事とする。
- 半導体封止材に対する期待
- CO2削減への貢献
- 省エネルギーへの貢献
- 高速通信の実現
- 自動運転、遠隔医療への期待
- パワーデバイス用封止材
- パワーデバイスの市場と技術動向
- WBG (SiC,GaN) に対する対応
- パワーデバイス用封止材の要求特性
- WBGに対応した高耐熱性樹脂
- 放熱対策に対応した熱伝導特性
- パワーデバイス用封止材の設計
- 高耐熱樹脂の設計
- 高熱伝導性樹脂の設計
- ICパッケージ用封止材
- ICパッケージの市場と技術動向
- チップレットと2.5Dパッケージ
- FO – WLPの技術動向
- ICパッケージ向け封止材の要求特性
- ICパッケージ向け封止材の設計
- ワイヤータイプパッケージ
- フリップチップタイプパッケージ
- ウェハーレベルパッケージ
- 高周波向け低誘電封止材
- 半導体封止材の評価法
- 作業性、反応性の評価
- 電気特性の評価
- 残留応力に対する評価
- 吸湿リフローに対する評価
- 不純物イオンに関する評価
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