シリコン・パワー半導体におけるCMPの技術動向

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本セミナーでは、半導体製造におけるCMP技術を取り上げ、CMPのモニタリング手法から評価手法、微粒子計測などの研究事例、SiC高速研磨事例、半導体におけるCMPの将来展望までを詳解いたします。

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プログラム

本セミナーではこれまでCMPにおける研究開発で経験した内容や最新の技術動向についも紹介する。CMP技術を習得するには、装置構成、研磨材、ポリシングパッドなどの他に、ウェハ製造プロセスや半導体素子の製造プロセスに関する内容も理解する必要がある。ここではCMPの研磨技術のほかに、CMPがどのようにデバイスに適用されているのか、基礎的な内容について解説する。

  1. CMP技術の概要
    1. CMPの適用例 〜半導体プロセスでCMPの頻度が増えたのは何故か
    2. CMPの除去メカニズム
    3. CMP装置のコンセプト
    4. 洗浄プロセスの現状と課題
  2. パワー半導体とシリコン半導体におけるCMP技術の違い
    1. 装置構成
    2. 工程管理とモニタリング手法の概念
    3. スラリーについて
    4. ポリシングパッドの役割
  3. パワー半導体におけるCMP技術について
    1. 基板製造プロセス概要
    2. 基板研磨法
    3. 高効率研磨微粒子による研究事例
  4. シリコン半導のCMP技術について
    1. フロントエンドCMPの適用例
    2. エンドポイントの考え方
    3. パターン研磨における課題
  5. 半導体技術とCMPの将来展望について
  6. 質疑応答

受講料

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