ダイヤモンド半導体の基礎と応用、最新動向

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本セミナーでは、次世代パワー半導体として注目を集める「ダイヤモンド半導体」を取り上げ、 ダイヤモンド半導体の原理や物性などの基礎から、大口径ウエハの成長技術、特性を引き出すデバイス作製まで最新の研究成果を報告いたします。

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プログラム

ダイヤモンドはシリコンの約5倍のバンドギャップをもち、次世代パワー半導体として期待されています。セミナーでは、ダイヤモンド半導体の基礎からデバイスの応用まで、最近の現状について解説します。

  1. ダイヤモンド半導体の優れた特性 (Siなどの従来の半導体との比較)
    1. バンドギャップ
    2. 高周波性能
    3. 高熱伝導度
    4. 出力電力・出力電圧特性
  2. ダイヤモンドの結晶成長技術
    1. CVD成長
    2. ヘテロエピタキシャル成長法
  3. ダイヤモンドパワー半導体デバイス開発の現状
    1. 不純物ドーピング技術
    2. MOSFETの作製法
    3. デバイスの性能評価法と結果
  4. ダイヤモンド半導体パワー回路開発
    1. 高速スイッチング動作
    2. 長時間連続特性
  5. 今後の展開

受講料

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