2024年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そしてこのxEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されており、すでにxEVへの搭載も始まっている。今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに?
- パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 最近のトピックスから
- パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンIGBTの進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT特性改善の次の一手
- 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに?
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか?
- SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
- SiCウェハ新技術
- MOSFETセル技術
- 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか?
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- 内蔵ダイオード信頼性向上技術
- プロトン照射
- SiCウェハ新技術
- SBD内蔵SiC MOSFET
- SiCパワーデバイス実装技術の進展
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
- まとめ
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
- 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
ライブ配信セミナーについて
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