半導体基板へのめっき処理と密着性の向上、評価

第1部 半導体・エレクトロニクスデバイスへの応用・最新動向

(2024年12月10日 10:30〜12:00)

　プリント配線板などには、めっき技術が使用されてきたが、1997年に半導体ウエハの配線に電気めっき法による銅が適用されてから、半導体やパッケージへのめっき法が適用されるようになってきた。現在、エレクトロニクスに使用されているめっき法について解説する。

1. 今、めっき法がエレクトロニクスデバイスへの重要度が高まっているのか?
   1. 小型化・多機能化の進展を支える技術
   2. 高密度実装技術の必要性
   3. エネルギー分野やヘルスケア分野への応用
2. めっき法の躍進
   1. 今までのめっき技術
   2. スパッタリング法との比較
   3. エレクトロニクスにめっきが使用されるようになる2つの要素
      • 銅配線
      • 携帯化、低価格化、開発期間の短縮
        (大型化、厚膜化、平坦化:ビアフィルなど)
   4. 現在のエレクトロニクス分野へのめっき法の適用
   5. エレクトロニクス分野へめっき法を使用する利点
   6. エレクトロニクス分野へめっき法を利用する際の注意点
3. エレクトロニクスデバイスを進化させるめっき技術
   1. めっき法とは
   2. プリント基板の微細化
      • 配線形成技術
      • 基板の平坦化
   3. プリント基板の積層化
      • ビア技術
   4. 積層チップの貫通電極
   5. 異方性導電粒子の作製法
   6. 半導体ウエハにめっきするバンプ形成技術
   7. 半導体ウエハにめっきするW-CSPの配線とポスト形成技術
   8. フレキシブル配線板とITOの接合
   9. ワイヤーボンディング用金めっきの薄膜化
4. まとめ
• 質疑応答

第2部 めっきプライマーの構成、活用と半導体周辺技術への提案

(2024年12月10日 13:00〜14:10)

　半導体基板のサブストレート、インターポーザーとしてガラスへの代替が有望視されている。 　ガラスへの導電化方法が各種提案されており、現行技術の課題とめっきプライマーの優位性について紹介する。

1. めっきプライマーについて
   1. 構成要素
   2. 優位性
   3. 活用事例
2. ガラス貫通基板について
   1. ガラス貫通基板の必要性
   2. ガラス基板と樹脂基板の比較
   3. ガラス基板の技術動向
3. めっきプライマー「メタロイド」 のガラスへの適用
   1. 密着性、耐熱性
   2. 平滑性、寸法安定性
   3. 光学特性、誘電特性
   4. 絶縁信頼性、相関密着性
   5. ガラス貫通基板への適用
4. 今後の開発動向
   1. ガラス貫通基板の将来性
   2. めっきプライマーの半導体基板周辺技術への適用
   3. めっきプライマーの次世代技術との親和性
• 質疑応答

第3部 銅めっきの均一電着性向上のための技術およびその評価

(2024年12月10日 14:30〜16:00)

　電気銅めっきによるビアやスルーホールへの銅配線形成は、様々な工程で用いられている。本講演においては、より高いアスペクト比 (ビア穴径/ビア内径) に対して均一電着性の高い銅めっきを行うため技術とその評価方法について述べる。

1. 均一電着性の向上のための技術
   1. 電気銅めっき用添加剤の役割
   2. 添加剤の開発例の紹介
   3. 不良発生の対策検討例の紹介
2. 均一電着性の評価方法
   1. 銅めっき形状の評価
   2. 電気化学的手法による析出状態と推測と評価
   3. 電気化学インピーダンス測定による評価
   4. めっき液流れの数値シミュレーションによる可視化
• 質疑応答