めっき法の基礎および堆積形状・膜物性の添加剤による制御とその低減策

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電解および無電解めっきによる金属薄膜形成の基礎を概説する。その上で大に無電解めっき法に関して、めっき条件 (還元剤・添加剤等の組成、浴温、pH) とめっき膜物性 (結晶構造、電気抵抗) 及び金属膜堆積特性 (形状、堆積速度) などの相関に関して、銅、ルテニウム、Co合金などを具体的事例に取り上げて詳細な解説を行う。

  1. 電解めっき法の基礎
    • 電解めっきでの電位-電流依存性
    • 電流効率とファラデーの法則
  2. 無電解めっき法の基礎
    • 触媒 (Pd) 前処理法
    • 無電解Cu及びRuめっきの基礎反応過程
  3. 電解銅めっきによるボトムアップ埋め込み技術
    • ダマシン法と微細銅配線技術
    • ボトムアップ埋め込みの添加剤
    • ボルタンメトリによるめっき機構解析
    • ボトムアップ埋め込みと電圧 (電流) 波形
  4. 無電解銅めっきにおけるボトムアップ堆積技術
  5. 添加剤とめっき膜質
    • 室温結晶粒成長現象と添加剤の影響
    • 添加剤の膜中への取り込みとその評価
    • 不純物の取り込みと結晶粒径、 電気抵抗の相関
    • 熱処理での結晶粒成長現象

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