ナノインプリントのメカニズムと欠陥対策、半導体デバイスへの適用

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本セミナーでは、熱・光ナノインプリントによる微細成型に関するメカニズムの基礎から解説いたします。
また、使用する樹脂やモールドについての材料技術、プロセス・材料の設計技術、離型欠陥対策技術、装置技術について、三次元構造の作製技術などの多様なシーズについて解説いたします。
さらに、最新の動向に触れながら、光学素子、ディスプレイ、電子デバイス、LED、太陽電池、拡張現実などへの製品応用技術について紹介いたします。

日時

開催予定

プログラム

第1部 熱・光ナノインプリント法による微細加工と半導体デバイスへの適用

(2024年10月31日 10:30〜14:30)※途中、お昼休憩含む

  1. ナノインプリントの半導体応用
    1. ナノインプリントとは
    2. ナノインプリントの特徴と応用領域
  2. 熱ナノインプリント,ダイレクトナノインプリントのメカニズムと欠陥対策
    1. 熱、ダイレクトナノインプリントの原理
    2. 形状
      • 膜厚依存性と欠陥
      • 高アスペクト比構造
      • レンズ構造における欠陥例とその解消
    3. 高圧プレス下での欠陥と面内均一性
    4. 分レベルの挙動と限界解像性
  3. UV (光) ナノインプリントのメカニズムと欠陥対策
    1. レジスト充填プロセスとバブル欠陥と対策
    2. UV照射プロセスと回折・干渉による欠陥と対策
    3. UV硬化プロセスと欠陥と対策
    4. 分子レベルの流動性と硬化特性
  4. 離型の原理と欠陥対策
    1. 破壊力学による離型の原理
    2. 化学的手法による欠陥対策
    3. 機械的手法による欠陥対策
    4. AR/VR用傾斜回折格子における離型欠陥の発生とその抑制
    5. 離型の分子レベルの挙動
  5. 今後の展開と期待
    1. 半導体チップレット技術 (再配線プロセス) への展開
    2. フラットレンズ、AR/VRグラスへの応用
    3. カーボンニュートラルへの取り組み
    4. 人工知能利用によるプロセス・材料設計

第2部 EUVレジストおよびナノインプリントレジストの開発と今後の展望

(2024年10月31日 14:45〜16:15)

 我々の生活に不可欠な先端デバイスの開発は止まることなく進んでおり、そのためにはリソグラフィの微細化が非常に重要な因子である。その実現のために不可欠なフォトレジスト開発、特にはEUVレジストの開発と歴史を理解することは、今後のリソグラフィ発展に重要な意味を持つ。加えて、別オプションとして長年開発されてきたナノインプリントリソグラフィの半導体分野への適用も日の目をみようとしている。これら昨今話題の半導体を理解するうえでの一助となると期待する。

  1. 昨今のプレスリリースから紐解く
    1. ナノインプリントリソグラフィの半導体分野への適用状況
    2. 富士フイルム、キヤノン、キオクシア、DNP
  2. 私たちの世の中を取り巻く環境
    1. エッヂAI、半導体に関する国プロジェクト (Rapidus/LSTC) 解説、など
    2. 富士フイルムのエレクトロニクスマテリアルズへの取り組み
  3. リソグラフィの歴史
    1. パターン微細化と露光波長、次世代リソグラフィの歴史
  4. EUVレジスト 課題と解決の例
    1. EUVリソグラフィの必要性と難しさ
  5. ナノインプリントレジスト
    1. なぜに、ナノインプリント?どこまできた?

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