本セミナーでは、エッチング技術の基礎・メカニズムから解説し、等方性エッチング技術のニーズとメカニズム、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを解説いたします。
台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの新聞報道などが続いています。半導体デバイスの加工にはエッチング技術が欠かせませんが、昨今のデバイスの3次元化に伴い、従来の異方性加工 (垂直方向) のニーズだけでなく、等方性加工 (横方向) に注目が集まっています。
本セミナーでは等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを紹介します。等方性エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。
- ドライエッチングの基礎
- ドライエッチングとは?
- 異方性エッチングと等方性エッチング
- 等方性エッチングのニーズとメカニズム
- 等方性エッチングのニーズ
- 等方性エッチングのメカニズム
- 等方性エッチングの例
- ウエットエッチング
- ガスエッチング
- 原子層エッチング (Atomic Layer Etching: ALE)
- 等方性エッチング装置
- 等方性エッチングの課題
- 最新等方性エッチング技術
- ロジックデバイス向け等方性エッチング技術
- メモリデバイス向け等方性エッチング技術
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- お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
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- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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