半導体配線材料・技術の基礎から最新動向まで

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本セミナーでは、Cu配線延命の為、導入されてきた最近の技術、技術開発が進行中のCu配線延命技術、及び、代替配線技術の現状と課題について解説いたします。
また、線幅の太い電源ラインをシリコン基板の表側や裏側に埋設するブレークスルーの開発が進行中であるが、これらのメリットと技術課題についても解説いたします。

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開催予定

プログラム

2021年、2022年と続けたこの配線技術に関するテーマでのセミナーであるが、昨年2023年は講師の業務多忙により再講演依頼に応えられなかったが、今回は、これまでのセミナーの骨子を維持しながら、この二年間に進んだ技術研究開発と産業界の動向についてupdateする。一昨年述べた通りに、Cu配線は3nm世代まで延命された。現在は、日本の半導体産業復興を最先端2nmで実現すべく、政府主導の最大限の努力が鋭意進行中である (半導体装置産業、材料供給の分野では、今現在、既に日本は最先端の産業界にとって極めて重要な不可欠な存在である) 。2nmに於いても、Cu配線の延命される見通しである。その技術開発が困難を極めている。取り分け、微細配線パターニングに加えて、Cuの埋め込み、ビア接続、配線/ビア抵抗、EM (electromigration) 信頼性など達成のため、新たな技術の導入が産業界で試みられている。また、BSPDN (Back Side Power Distribution Network) 適用の必要性が高まり、その技術も改良と革新が進行中である。Cu配線に代わるSubtractive Ru配線開発、更にその先を見据えた2D材料の模索が進行中である。  今回は、2022年セミナーの骨子を踏襲しながら、配線技術の基礎から最新の技術進捗に至るまでについて述べる。

  1. 導入
    1. 配線に起因して増大する問題
      • RC
      • EM
      • パターニング
    2. 配線プロセスの基礎
  2. 配線メタル技術のこれまでの進化
    1. これまで導入されてきたCu配線延命技術
    2. 最近、更に導入されている新規技術
  3. Cu配線技術延命の限界の次の代替配線技術候補
    1. Subtractive Ru配線技術
  4. Cu配線を更に2nmへと延命するための新規技術
    1. RuCo Liner
    2. Single Damascene Cu with W (Mo) via
    3. BSPDN (Backside Power Distribution Network)
      1. nm以降を目指した探索的技術
    4. TMD, Topological Semimetal, Intermetallic Compound, etc.
  5. まとめ

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

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