2019年よりEUVリソグラフィー (EUVL) は7 nm+世代の半導体量産技術として適用が開始された。この状況まで来るのに、EUVLの黎明期を含め約35年掛かって実現した。兵庫県立大学は国内大学が保有している中で最大のニュースバル放射光施設を有しており、これまでASET、SELETE,EUVA、EIDECの4つ国家プロジェクトの参画し、また、これまで数多くの国内外の企業との共同研究を通じてEUVL技術開発に貢献してきた。講演ではEUVL技術の黎明期からその技術の基礎について、また、現在の技術状況と課題、そして、今後の展開について解説する。さらに、日本の半導体復興に必要な項目について理解を深める。
黎明期のEUVL技術開発の紹介により、より深くEUVL技術開発のキーポイントの理解を深めていただきます。また、EUVL技術の現状および課題については、EUV露光装置 (EUV光源を含み) に加えて、EUVレジスト、EUVマスク、EUVペリクルなどEUVL全般に亘って基盤技術について解説する。
- はじめに
- 半導体の動向
- EUVリソグラフィーとは
- EUVリソグラフィーの黎明期
- EUVリソグラフィーの必要性
- EUVLの技術課題
- EUVL用露光機 (EUV光源を含む)
- EUVレジスト
- 化学増幅系レジスト、非科学増幅系レジスト、金属レジスト、他 評価系
- ホモジニティ、レジスト膜の層分離など
- EUVマスク
- 構造、多層膜、吸収体、High-kおよびLow-k材料
- マスク評価系、など
- EUVペリクル
- 材料
- 評価系
- 日本の半導体の将来に向けて
- まとめ
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