半導体製造の化学機械研磨 (CMP) 技術の概要とCMP後洗浄の特徴〜今後の動向

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本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPに求められる要求技術から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説いたします。

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プログラム

近年、IoT, Cloud data server, AI semiconductor, EV & Autonomous Car, 5G Mobile Communication (ICAC5) の躍進により、そこに使われている半導体の需要は増え続けている。電子媒体であるチップ構造も、微細化一辺倒から三次元化も含めて形態の複雑化、使用される材料の変化が継続的に進められており、半導体製造工程の一つであるCMP技術も、平坦化を目的とした基本的な工程は変わらないが、上記のように構造や材料の変化に加え、更なる平坦性、Defectの更なる厳しい値が求められている。  今回の講演では、CMP装置の移り変わりから、構造の基本的な話を述べ、特にCMP後の洗浄について、一般の半導体洗浄との違いやCMP独特な洗浄課題、解決策などについて述べる。

  1. はじめに
    • 2030年に向けたSEMI・CMP市場
  2. 半導体製造におけるCMP工程の概説
    1. CMP (Chemical Mechanical Polisher/Planarization) とは
    2. CMPポリッシャ部の基本構成
      1. 原理
      2. 研磨ヘッドの種類と歴史
      3. エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
      4. 装置構成
        • 研磨部
        • 洗浄部
        • 搬送部
  3. 半導体業界の洗浄工程について
    1. 工程数
      • Logic
      • NAND
      • DRAM
  4. 一般洗浄とCMP後の洗浄
  5. Cu洗浄と腐食
  6. 今後のCMP後洗浄
  7. まとめ

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