本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。
プラズマは産業の広い分野で日常的に使われています。しかし、プラズマの原理やプラズマを用いることの利点について系統的に学ぶ機会は少ないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴を理解することが不可欠になります。 そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマ (非平衡プラズマと呼ばれる) の生成機構や特徴について解説します。後半ではそれらを踏まえ、ドライエッチングにフォーカスしてその原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。