2024年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなにか
- パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 最近のトピックスから
- パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- MOSFET特性改善を支える技術
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT薄ウェハ化の限界
- IGBT特性改善の次の一手
- 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
- シリコンIGBTの実装技術
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
- 各社はSiC-IGBTではなくSiC – MOSFETを開発する。なぜか?
- SiC-MOSFETのSi – IGBTに対する勝ち筋
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
- 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- 内蔵ダイオード信頼性向上技術
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- GaN-HEMTのノーマリ – オフ化
- GaN-HEMTの課題
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
- 酸化ガリウムの特徴は何
- 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
- SiCパワーデバイス実装技術の進展
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
- まとめ
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
- 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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ライブ配信セミナーについて
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