昨今、パワー半導体業界には新材料による新たな市場形成が始まっています。例えばSiCはこの10年間の大幅な低価格化により徐々に市場に浸透し始めており、高周波デバイス用途ではGaNが絶対的な地位を築こうとしています。そして近い将来、SiCやGaNより大きなバンドギャップをもつより高性能なデバイスが必要になります。しかし、新材料が市場で受け入れられるには厳しい条件をクリアしなければいけません。それは1基板、薄膜、加工のコストが低い、2SiCやGaNよりも優れた低損失性、3p型とn型のドーピング手法による作製の実現性、の3つが基本条件です。
本セミナーではその条件をクリアし、候補材料となり得る新しいパワー半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) の物性や作製手法についてお話をします。
- SiC、GaNの今後の動向
- 新しいパワーデバイス材料、二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) の可能性
- r-GeO2の可能性
- バンドギャップ4.6 eV
- p型とn型が作製可能 (理論予測)
- 高い移動度、安価に基板作製可能
- なぜ、r-GeO2の薄膜合成は困難なのか?
- r-GeO2厚膜の合成
- r-GeO2混晶
- 世界のr-GeO2研究
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