GaNパワーデバイスの最新動向と技術課題

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本セミナーでは、GaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説いたします。

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プログラム

GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。  本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。

  1. はじめに
    1. GaNについて
    2. これまでのGaNの利用分野
    3. パワー半導体材料としてのGaN
  2. GaNウェハについて
    1. ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
    2. 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
    3. GaN基板のラインナップの現状
    4. 加工技術
    5. 基板・結晶評価技術
  3. GaNパワーデバイス作製プロセスについて
    1. GaN結晶と半導体プロセス
    2. デバイス層結晶成長方法
    3. イオン注入について
    4. ゲート絶縁膜について
    5. ドライエッチングとウェットエッチング
  4. GaNパワーデバイス
    1. デバイス設計と設計パラメータ
    2. GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
    3. GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
    4. 既に実用化されているGaNパワーデバイスとその用途
    5. 国際学会でのGaNパワーデバイスの傾向
    6. GaNパワーデバイスの信頼性、結晶欠陥の影響
  5. まとめと今後の展望

受講料

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