本セミナーでは、GaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説いたします。
日時
- 2024年7月17日 13時00分〜 2024年7月17日 16時30分
開催予定
プログラム
GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。 本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。
- はじめに
- GaNについて
- これまでのGaNの利用分野
- パワー半導体材料としてのGaN
- GaNウェハについて
- ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
- 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
- GaN基板のラインナップの現状
- 加工技術
- 基板・結晶評価技術
- GaNパワーデバイス作製プロセスについて
- GaN結晶と半導体プロセス
- デバイス層結晶成長方法
- イオン注入について
- ゲート絶縁膜について
- ドライエッチングとウェットエッチング
- GaNパワーデバイス
- デバイス設計と設計パラメータ
- GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
- GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
- 既に実用化されているGaNパワーデバイスとその用途
- 国際学会でのGaNパワーデバイスの傾向
- GaNパワーデバイスの信頼性、結晶欠陥の影響
- まとめと今後の展望
受講料
- 1名様: 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 複数名: 21,000円(税別) / 23,100円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 19,800円(税込)でご受講いただけます。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 61,000円(税別) / 67,100円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 79,000円(税別) / 86,900円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 97,000円(税別) / 106,700円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 84,000円(税別) / 92,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 126,000円(税別) / 138,600円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 168,000円(税別) / 184,800円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 210,000円(税別) / 231,000円(税込)
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
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- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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