半導体ダイシングの低ダメージ化と最新動向

第1部 ダイシングの基礎と最新のデバイス/パッケージ構造

(2024年7月2日 10:30〜12:00)

　半導体デバイスは微細化が限界に近づいていることにより、パッケージ技術にもその性能向上の役割分担をさせるようになり、パッケージ技術も多様化複雑化してきた。ダイシングは、ウエハからチップを切り出す基本的な工程であるが、パッケージ技術の複雑化に伴い、切断材料の多様化、チップの極薄化、積層化、小チップ化などの要求に答える必要が出てきた。 　本講では、パッケージ技術の進化とダイシング技術の関係について俯瞰的に解説する。

1. パッケージ形態の変遷とダイシングの役割
   1. DIP〜QFP〜BGA
   2. QFN,DFN
   3. WLP
   4. FOWLP
   5. 様々なSIP
2. ダイシングの種類と特徴
   1. ブレードダイシング
   2. レーザーダイシング
   3. プラズマダイシング
3. 先端デバイスの特徴とダイシングへの要求
   1. 薄化
   2. 小チップ化
   3. チップ積層方法
   4. 硬脆材料基板
4. まとめ
• 質疑応答

第2部 化合物半導体 (SiC) の結晶劈開型切断加工

(2024年7月2日 13:00〜14:00)

　半導体ダイシングにおける加工品質と加工速度の向上に対する要求がますます高まっている。そのため、従来の手法とは全く異なる加工メカニズムによる新規ダイシング技術が期待されている。そのひとつであるスクライブ&ブレイク法は結晶劈開を利用する技術であり、速い加工速度、カーフレス、完全ドライプロセスを特長とする。 　本講座では、スクライブ&ブレイク法の概要、および、SiCウェハの切断加工への応用を紹介する。

1. スクライブ&ブレイク法による化合物半導体切断の意義
   1. 従来のダイシング手法における課題
   2. 板ガラスの切断手法としてのスクライブ&ブレイク法
   3. スクライブ&ブレイク法のメカニズムおよび特長
   4. 化合物半導体切断への応用
2. スクライブ&ブレイク法によるSiCウェハの切断
   1. SiCウェハに対するスクライブ
   2. SiCウェハに対するブレイク
   3. 切断後の外観
   4. 切断面の結晶性
   5. 抗折強度
   6. 実基板への応用
3. 専用工具の開発
4. まとめ
• 質疑応答

第3部 ステルスダイシング技術の最新動向

(2024年7月2日 14:10〜15:10)

　今回のセミナーでは、ステルスダイシング技術について理解し、他工法に対する優位性について理解することができる。 現状の実績など市場動向について把握することができる。

1. ステルスダイシングとは?
2. ステルスダイシングの原理説明
3. ステルスダイシングの特長
4. 当社のビジネスについて
5. ステルスダイシング技術の変遷
6. ステルスダイシングを支えるキーデバイス
7. ステルスダイシングでの各種材料 (Si、化合物半導体等) の加工結果
8. ステルスダイシングによる環境貢献
• 質疑応答

第4部 各種アプリケーション向けプラズマダイシング技術の最新動向

(2024年7月2日 15:20〜16:00)

　メモリデバイスなどでは大容量化の要求に対しチップの薄型化が求められる中、ダイシング加工時のチッピング等による歩留まり低下が問題となっている。また、ハイブリッドボンディングなどパーティクルレスでのダイシング工法を求められている。そうした中でプラズマダイシング工法では、ダメージレス加工・パーティクルレス加工が可能であるため、各種アプリケーションでの適用が広がっている。 　本テーマでは、その最新動向についてご紹介する。

1. プラズマダイシング技術の基礎と概要
   1. 既存のダイシング工法の課題
   2. プラズマダイシングのメリット
   3. プラズマダイシングの原理
   4. 適用アプリケーションとプロセスフロー
2. 各種アプリケーションにおける加工事例
   1. 薄型ウエハへの適用事例
   2. 2.5・3D実装向け加工事例
   3. 化合物ダイシング
3. 今後の展開
• 質疑応答