ダイヤモンド半導体・パワーデバイスの最新動向

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本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

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プログラム

ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。  本講演では、ダイヤモンドの魅力からダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果 (例:世界初反転層ダイヤモンドMOSFET 等) を中心に解説します。

  1. はじめに
    1. 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
    2. ダイヤモンド半導体研究の歴史
  2. ダイヤモンドウェハ製造技術
    1. 成長技術
      • 高温高圧
      • プラズマCVD
      • 熱フィラメントCVD
    2. 不純物ドーピング技術
    3. スライス・カット技術
    4. 研磨技術
  3. ダイヤモンドダイオード
    1. ショットキーバリアダイオード
    2. PN接合ダイオード
    3. ショットキーPNダイオード (SPND)
  4. ダイヤモンドトランジスタ
    1. MESFET
    2. JFET
    3. BJT
    4. MOSFET
  5. その他の半導体デバイス応用
    1. 深紫外線発光デバイス
    2. 電子放出デバイス
    3. ダイヤモンド電気化学電極
  6. まとめと今後の展開

受講料

案内割引・複数名同時申込割引について

S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 19,800円(税込)でご受講いただけます。

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