シリコン/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

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本セミナーでは、パワー半導体デバイス・パッケージの最新技術、シリコンMOSFET・シリコンIGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長・課題、パワー半導体デバイス全体・SiC/GaN市場予測、シリコンIGBT・SiCデバイス実装技術、SiC/GaNパワーデバイス特有の設計・プロセス技術について、豊富な経験を基に分かりやすく解説いたします。

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プログラム

2024年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった。さらにEC (イーコマース) の普及等により最近データセンターが多くい建設されているが、その電力消費は急増しており大きな課題となりつつある。そのためデータセンター内のサーバ用電源の高効率化への取り組みも待ったなしの状況にある。  上記、xEVの性能向上やサーバ用電源の効率を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、最新シリコンMOSFET/IGBTに加えSiC/GaNデバイスも普及が始まりつつあり、今後はSiC/GaNを中心にした新材料パワー半導体デバイスの伸長が大いに期待されている。SiC/GaNを中心とした新材料パワーデバイスが、その市場を大きく伸長するためのポイントは何か。最強の競争相手であるシリコンMOSFET/IGBTの現状や最新技術と比較しながら、SiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイスの最新開発技術と今後の動向について、実装技術や市場予測を含め詳しく解説する。

  1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 最近のトピックスから
    5. 新パワーデバイス開発の位置づけ
    6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    7. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. IGBT薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
    7. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
    6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    6. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. SiCパワーデバイス実装技術の進展
    1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    2. 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
    3. 接合材について
    4. 銀または銅焼結接合技術
    5. SiC-MOSFETモジュール技術
  6. まとめ

受講料

複数名同時申込割引について

複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。

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