本セミナーでは、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心に紹介いたします。
日時
- 2024年6月4日 13時00分〜 2024年6月17日 16時30分
開催予定
プログラム
当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。
- プラズマCVD装置の基本構造
- プラズマCVD装置の構成
- 反応チャンバーの基本構成
- プラズマCVD装置の用途
- 適用アプリケーション
- プラズマCVD装置のプロセス性能
- SiH4系SiO2膜
- SiH4系SiN膜
- SiH4系SiON膜
- SiH4系a-Si膜
- SiH4系SiC膜
- TEOS系SiO2膜
- 液体ソース系SiN膜
- 開発用装置と量産用装置
- プラットフォーム
- プラズマCVD装置の課題と対策
- 高レート化
- プロセスの再現性
- 低パーティクル
- チャンバークリーニング
- ウェーハ温度の低温化
- ウェーハ大口径化 など
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
複数名受講割引
- 2名様でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 3名様以上でお申込みの場合、1名あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。 - 他の割引は併用できません。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
- 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
アーカイブ配信セミナー
- 「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
- お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
- 別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
- 視聴期間は2024年6月4日〜17日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。 - セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
- ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
- 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。