ドライエッチングのメカニズムと最先端技術

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本セミナーではエッチング技術の基礎・メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが使用している先端エッチング技術までを紹介いたします。
また、エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についても解説いたします。

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プログラム

台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの日本進出が進んできていますが、2ナノメートルといった超微細な構造を加工するには、エッチング技術が欠かせません。刃物や研磨では得られない超微細加工を実現するためには原子・分子・イオンを活用したエッチング技術が必要であり、デバイス寸法の縮小に伴い、日進月歩の技術革新が行われています。  本セミナーではエッチング技術の基礎・メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが使用している先端エッチング技術までを紹介します。エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。

  1. エッチングの基礎
    1. 微細加工
    2. プラズマの生成とエッチング
  2. 異方性エッチング
    1. 異方性エッチングのメカニズム
    2. 異方性エッチング向け製造装置
  3. 等方性エッチング
    1. 等方性エッチングのニーズ
    2. 等方性エッチングへのアプローチ
    3. 等方性エッチングの例
  4. エッチングの高機能化 – パルスプラズマ
    1. ソースパルス
    2. バイアスパルス
    3. シンクロナイズドパルス
  5. エッチングの課題
    1. 形状異常
    2. プラズマ誘起ダメージ
    3. 量産における課題
  6. 最新エッチング技術
    1. ロジックデバイス向けエッチング技術
    2. メモリデバイス向けエッチング技術

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