シリコン系光導波路とフォトニクスデバイス集積技術の開発

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本セミナーでは、光導波路について取り上げ、講師の過去20年間に渡る技術動向調査を基に、基礎的な素子動作原理から最先端技術、現在の諸課題について解説いたします。

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プログラム

シリコンフォトニクス技術と呼ばれる、シリコン系光導波路素子によるモノリシック/ハイブリッド集積や実装技術は、基礎的な研究フェーズから、産業展開へと続く実用化フェーズへ移行しており、市場規模は著しい成長を続けている.しかしながら、更に高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題は依然として多く存在するため、新たなブレークスルーが求められる.  本セミナーでは過去20年間に渡る技術動向調査を基にした、基礎的な素子動作原理から最先端技術について解説を行った上で、現在の諸課題について議論を行う.

  1. 光導波構造の基礎
    1. 1次元の光閉込めと光伝搬
    2. 2次元 (3層スラブ導波路) の固有値方程式と導波モード形成
    3. 高次モードとカットオフ
    4. ガラス、化合物半導体、シリコン系導波路の比較
  2. シリコン系光導波路デバイス
    1. パッシブ光デバイス
      • カプラ
      • フィルタ
      • 入出力光結合など
    2. 光変調器
    3. 受光器
    4. レーザー光源
  3. フォトニクス集積技術
    1. ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの活用
    2. CMOS互換モノリシック集積技術
    3. 多彩な異種材料を活用したハイブリッド集積技術
    4. 光チップレット、2.5/3次元実装
    5. ファブレス化、ファウンドリーサービスの現状

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