半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。 　具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング (RIE) から、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

1. 背景
2. プラズマ科学の基礎
3. 代表的なプラズマプロセス装置
   1. 容量結合型プラズマ (CCP) 装置
   2. 誘導結合型プラズマ (ICP) 装置
4. 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
   1. プラズマ表面相互作用
   2. 表面帯電効果
   3. シリコン系材料エッチング反応機構
   4. 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
   5. 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
5. プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
6. ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
   1. 熱ALD
   2. プラズマ支援 (PA-) ALD
7. ALEプロセスの概要と最新技術動向
   1. PA – ALE
   2. 熱ALE:リガンド交換
   3. 熱ALE:金属錯体形成
8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
9. まとめ