パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状主にSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイスの性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。ワイドギャップ半導体パワーデバイスの量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本は、ここでも海外メーカに後れを取っています。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。
- パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
- パワーエレクトロニクスへの期待
- パワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスによる電力変換
- パワーデバイスの高性能化
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップの構造
- パワーモジュールの構造
- パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス
- Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
- Siパワーデバイスの技術開発
- SiCパワーデバイスの技術開発
- GaNパワーデバイスの技術開発
- 酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発
- 電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史
- 世界のパワーデバイスの状況
- 日本のパワーデバイスの将来展望
- まとめ
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