フォトレジスト材料の基礎と課題・開発動向

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本セミナーでは、半導体産業について取り上げ、フォトレジスト材料の基礎から、現役フォトレジストサプライヤー目線の最新のEUVレジストの課題と開発状況について解説いたします。

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プログラム

昨今、私たちは新たなデジタル社会に直面、半導体の重要性が以前にも増して重要となっており、一般のニュースでも毎日のように半導体という言葉を耳にする。IOT、AI、Society5.0等の発展のためには、さらなるデバイスの高速化、大容量化、省電力化が求められており、そのためにはトランジスタ配線の微細化が不可欠である。それを支えているのがリソグラフィの微細化であり、フォトレジスト材料が鍵技術となっている。究極の微細化として期待されたEUVリソグラフィは、35年の時を経て2019年に実用化された。  地政学的観点からも半導体は日本にとって重要なピースとなり政府の半導体への取り組みも前のめりである。現在半導体材料に従事する方、今後従事するであろう方々にとってフォトレジスト開発の流れを知ることは、さらなる発展に対して非常に有用であると思われる。さらなる発展の期待をこめて、過去を振り返りながら現在の課題について解説する。

  1. 私たちの世の中を取り巻く環境の変化
    1. アナログからデジタルへ
    2. 昨今話題の日本の半導体産業への取り組み
  2. リソグラフィ微細化の歴史
    1. リソグラフィとは?
    2. フォトレジストって何?どこに使われている?
    3. なぜフォトレジストが必要か?
    4. 微細化を牽引するムーアの法則とそれを実現するリソグラフィ微細化の歴史
    5. フォトレジストのケミストリーと要求性能 (化学増幅型レジストの誕生)
    6. KrFレジストからArFレジストへ。何が難しかったのか?
    7. EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィ
    8. ArF液浸リソグラフィ延命化の切り札、富士フイルムによるNegative-tone Development (NTD) 技術の発明
  3. EUVリソグラフィ
    1. EUVリソグラフィの歴史、実用化に必要な3つの課題とその重要性の推移
    2. 最初に立ちはだかった大きな課題、アウトガス問題
    3. 国家プロジェクトにて対応したアウトガス問題解決 (EIDEC成果)
    4. 国家プロジェクトにて対応した露光機課題や新規材料 (メタルレジスト) 開発
    5. EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子に関して
    6. リソグラフィ工程にいけるストカスティック因子解析
    7. フォトンストカスティックとケミカルストカスティックの解析と解決手段例

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