本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。
日時
- 2024年2月8日 10時00分〜 2024年2月8日 16時00分
中止
プログラム
AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。 本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD (原子層堆積) /ALE (原子層エッチング) 技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。
- 薄膜形成技術
- 薄膜作成/加工の基礎
- 薄膜の評価方法
- 電気的評価
- 化学的分析手法
- 光学的評価手法
- ALD技術の基礎
- ALD技術の原理
- ALD薄膜の特長
- ALD技術の歴史
- ALD装置の仕組み
- ALD技術の材料
- ALE技術の基礎
- ALE技術の原理
- ALEの歴史
- ALEの特長
- ALE技術の課題
- ALD技術の応用
- パワーデバイスへの応用
- 酸化物薄膜トランジスタへの応用
- MOS LSIへの応用
- 太陽電池への応用
- ALE技術の応用事例
- シリコン、窒化ガリウム等、半導体材料への応用
- シリコン酸化膜、窒化膜等、絶縁膜への応用
- Co等、金属膜への応用
- ALD/ALE技術の将来
- ALD/ALE技術の課題
- ALD/ALE技術の展望
受講料
- 1名様: 49,000円(税別) / 53,900円(税込)
- 複数名: 60,000円(税別) / 66,000円(税込)