SiCパワーデバイスのための高温耐熱実装技術

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本セミナーでは、従来の実装技術における課題と今後期待される新たな実装材料、実装技術について解説いたします。

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SiCパワー半導体は省エネルギーパワーデバイスとして長年その実用化が期待され、幅広い研究開発が実施されてきた結果、近年本格的な市場への導入が始まってきた。SICデバイスは高出力密度での使用が可能であることから、デバイス実装の高耐熱化の要求がますます高まってきている。  ここでは従来の実装技術における課題と今後期待される新たな実装材料、実装技術について、講演者のグループの開発成果を中心に講演する。

  1. はじめに
  2. パワー半導体の実装材料、実装技術
    1. 半導体の実装材料、実装技術:
      • ワイヤーボンディング
      • ダイボンディング
      • フリップチップ接合
      • バンプ形成
    2. パワー半導体の実装材料、実装技術
    3. 自動車向けパワーモジュル実装技術の開発動向
    4. SiCパワーデバイス、モジュールの開発 動向について
  3. 高温耐熱導電接続技術
    1. 材料特性とプロセス温度
      • ダイボンディング材料
      • ワイヤボンディング材料
    2. 新規開発材料の特徴と課題
    3. 太線Agワイヤによるワイヤボンディング技術と信頼性
  4. Ni系接合材料を用いたパワー半導体実装技術の開発
    1. Niナノ粒子による接合、ナノNi/マイクロAlハイブリッド粒子による接合
    2. Niマイクロめっき接合 (NMPB)
    3. 熱応力緩和型実装構造
    4. SiCパワーデバイス実装への適用
    5. 他用途への展開
  5. まとめと今後の展開

受講料

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