Si・SiC・GaN・酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

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本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、ダイヤモンドパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

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プログラム

2023年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンパワーデバイスがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンデバイスの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。  最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクス、パワーデバイスとは何?
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワーデバイスの種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
  2. 最新シリコンIGBTの進展
    1. 中国製格安EVにはシリコンMOSFETが搭載されていた
    2. 最新シリコンMOSFET・IGBTを支える技術
    3. シリコンデバイス特性改善の次の一手
    4. 逆導通IGBT (RC-IGBT) の誕生
    5. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜSiCが新材料パワーデバイスのなかでトップを走っているのか
    2. 各社はSiC-MOSFETを開発中。最大の課題はコスト高にある
    3. SiCウェハができるまで
    4. SiC-MOSFETの低オン抵抗化がコストダウンにつながる理由
    5. SiC-MOSFET内蔵ダイオードの順方向電圧劣化とその解決策
    6. 最新SiC MOSFETデバイス
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    3. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    4. GaN-HEMTの課題
    5. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
    1. 酸化ガリウムとその特徴
    2. 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
    3. ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
  6. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. SiC-MOSFETモジュールに必要な実装技術
  7. まとめ

受講料

案内割引・複数名同時申込割引について

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また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 20,900円(税込)でご受講いただけます。

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