ドライエッチングのメカニズムと先端ロジックデバイスのエッチング技術

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本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から解説し、エッチングにおける劣化トラブルと抑制技術、プロセス制御によるCD安定化について解説いたします。

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プログラム

半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。  本セミナーでは、ドライエッチング技術について、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への展開について解説する。さらに、FinFET、GAA (Gate all around) 世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みと横方向の加工技術について解説する。

  1. イントロダクション
    1. 半導体デバイスのトレンドとプロセス
  2. ドライエッチング装置
    1. プラズマ源とドライエッチング装置
  3. ドライエッチングのメカニズム
    1. イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式
    2. エッチング選択比とガス
    3. CDシフト (寸法変動) のメカニズム
    4. 均一性制御技術
      • ウエハ温度
      • ガス分布制御
    5. 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用
  4. 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
    1. DTCO採用に伴うエッチングの課題
    2. Si/SiGe fin etching
    3. SAC対応エッチング技術
    4. WFM patterning
  5. GAA/CFET世代のエッチング技術
    1. GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
    2. CFETで求められるエッチング加工
  6. コンフォーマルドライエッチング技術
    1. 等方性ドライエッチング技術の概要
    2. 熱サイクルALE技術と装置
    3. プラズマを用いたコンフォーマルALE
  7. まとめ

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