2023年、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNならびに酸化ガリウムパワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクス (パワエレ) とはなに
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 最近のトピックスから
- 新パワーデバイス開発の位置づけ
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- MOSFET特性改善を支える技術
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT薄ウェハ化の限界
- IGBT特性改善の次の一手
- 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
- シリコンIGBTの実装技術
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
- 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
- SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
- 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- 内蔵ダイオード信頼性向上技術
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- GaN-HEMTの課題
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
- 酸化ガリウムの特徴は何
- 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
- SiCパワーデバイス実装技術の進展
- SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
- 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
- 接合材について
- 銀または銅焼結接合技術
- SiC-MOSFETモジュール技術
- まとめ
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。
アカデミック割引
- 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
- 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
- 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
- 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
- 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
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