SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム

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本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

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プログラム

半導体とそれを使ったデバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素 (SiC) でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその0.25 nmが最小単位となる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御が重要である。  本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として大いに注目されている。

  1. 半導体の結晶構造と表面形態
    1. 半導体の結晶構造とバンドギャップ
    2. SiCの結晶構造 3C,4H,6H-SiC
    3. SiCパワーデバイス
    4. 半導体表面のステップ・テラス構造
    5. SiCの結晶学的方位とステップ・テラス
    6. 結晶成長と表面形態
  2. 半導体表面形態制御方法
    1. 機械研磨
    2. 化学機械研磨 (CMP)
    3. 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
    4. 水素エッチング
    5. ステップバンチング現象
    6. SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム
      1. エネルギー論的効果
      2. 速度論的効果
      3. 弾性論的効果
  3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
    1. SiC熱分解法によりグラフェン成長
    2. SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
    3. SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
    4. ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
  4. SiC表面のステップアンバンチング現象
    1. 加熱雰囲気によるSiC表面の変化
    2. SiC表面のステップバンチング
    3. SiC表面のステップアンバンチング
    4. アンバンチングメカニズムの考察
    5. ステップアンバンチング現象の応用可能性
      1. SiC半導体製造プロセスへの適用
      2. 他の半導体でのアンバンチング現象
    • 質疑応答

受講料

  • 1名様: 30,900円(税別) / 33,990円(税込)
  • 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,900円(税別) / 33,990円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

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