EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と課題解決策および今後の展望

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本セミナーでは、極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等、基盤技術全般にわたって解説いたします。

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プログラム

極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術は30年に開発期間を経て漸く7nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。一方で、2 nm node以降のロジックデバイス向けのEUVL技術について多くの技術課題を抱えています。  EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。  極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

  1. はじめに
    1. IoTおよびAIに期待すること
    2. 半導体市場
    3. 半導体国際ロードマップから読み取れること
    4. 半導体微細加工技術の必要性
    5. 今後の半導体技術動向と市場との関係
    6. 今後の半導体技術に期待すること
  2. リソグラフィー技術
    1. リソグラフィー技術の変遷
    2. 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
    3. EUVリソグラフィーとは
    4. EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要
  3. 兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
    1. 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
    2. ニュースバル放射光施設の紹介
  4. EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
    1. レジスト材料プロセス技術
    2. マスク欠陥技術
    3. ペリクル技術
    4. EUV用光源技術
  5. Beyond EUV (EUVリソグラフィーの短波長化) の可能性
  6. 日本の半導体技術の過去、現在、今後
    〜日本の半導体技術の覇権に重要な要素〜
  7. まとめ

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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