本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。
日時
- 2023年12月6日 10時30分〜 2023年12月19日 16時30分
開催予定
プログラム
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。 関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
- 背景
- プラズマ科学の基礎
- 代表的なプラズマプロセス装置
- 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
- プラズマ表面相互作用
- 表面帯電効果
- シリコン系材料エッチング反応機構
- 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
- 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
- プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
- ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
- 熱ALD
- プラズマ支援 (PA – ) ALD
- ALEプロセスの概要と最新技術動向
- PA – ALE
- 熱ALE:リガンド交換
- 熱ALE:金属錯体形成
- 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
- プロセス数値シミュレーションとTCAD (technical computer aided design)
- 仮想計測 (VM) とプロセス装置制御
- マテリアルズ・インフォマティクス
- プロセス開発における機械学習 (ML) ・AIの活用
- まとめ
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 34,700円(税別) / 38,170円(税込)
- 複数名: 25,000円(税別) / 27,500円(税込)
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,700円(税別) / 38,170円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。 - 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
- 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
アーカイブ配信セミナー
- 「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
- お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
- 別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
- 視聴期間は2023年12月6日〜19日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。 - セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
- ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
- 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。