本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされています。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされていますが、パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用されています。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されていますが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠であります。 本講演では、20239月にイタリアで開催されるSiC半導体国際会議 (ICSCRM2023) での最新報告・動向も含めて、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論します。商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車開発技術者・技術企画担当者・営業担当者などの方々に向けたセミナーです。