SiC基板のエッチング技術と平滑化

最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。 　本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機構を解明し、ガス圧を低くして平滑化の妨げになるスパイクの生成を抑制し、また、ピラー生成を抑制すべく、NF3/Ar混合ガスプラズマを用いてSiC表面の平滑化に及ぼすArの効果について詳述する。 　さらに、使用するNF3ガスの基本特性に言及し、使用時の安全対策についても述べる。

1. 三フッ化窒素の基本特性と安全性
   1. 三フッ化窒素の物性
   2. フッ素および三フッ化窒素の安全性
2. NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
   1. 表面の前処理およびSiCの結晶性の影響
   2. RF出力およびNF3ガス圧力の影響
3. プラズマエッチングによるSiC表面の平滑化機構
   1. 熱天秤法によるNF3とSiCの反応速度測定および反応生成物
   2. NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによるSiC表面の平滑化機構
   3. スパイクおよびピラー生成機構
4. NF3ガスおよびNF3/Ar混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
   1. As-cut SiC のプラズマエッチング
   2. Epi SiC表面のプラズマエッチング
   3. C-面鏡面研磨SiC表面のプラズマエッチング
   4. As cut, Epi, C面鏡面研磨SiCおよびSi面鏡面研磨SiCの平滑化に及ぼすAr 添加の効果
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