最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。
本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機構を解明し、ガス圧を低くして平滑化の妨げになるスパイクの生成を抑制し、また、ピラー生成を抑制すべく、NF3/Ar混合ガスプラズマを用いてSiC表面の平滑化に及ぼすArの効果について詳述する。
さらに、使用するNF3ガスの基本特性に言及し、使用時の安全対策についても述べる。
- 三フッ化窒素の基本特性と安全性
- 三フッ化窒素の物性
- フッ素および三フッ化窒素の安全性
- NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
- 表面の前処理およびSiCの結晶性の影響
- RF出力およびNF3ガス圧力の影響
- プラズマエッチングによるSiC表面の平滑化機構
- 熱天秤法によるNF3とSiCの反応速度測定および反応生成物
- NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによるSiC表面の平滑化機構
- スパイクおよびピラー生成機構
- NF3ガスおよびNF3/Ar混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
- As-cut SiC のプラズマエッチング
- Epi SiC表面のプラズマエッチング
- C-面鏡面研磨SiC表面のプラズマエッチング
- As cut, Epi, C面鏡面研磨SiCおよびSi面鏡面研磨SiCの平滑化に及ぼすAr 添加の効果