第1部 SiCパワー半導体の開発動向とウェハの研磨、CMP工程の技術動向
(2023年10月10日 10:30〜12:00)
高出力で低損失な電力制御システムにSiCパワー半導体が普及始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要な技術分野として産業化加速が見込まれる。本セミナーではSiCウェハ加工工程の技術開発動向について解説し、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。
- SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
- SiCウェハ加工技術
- SiCウェハ加工工程と技術課題
- SiC単結晶の切断技術
- 切断工程の高速化技術
- 切断工程の課題と新しい切断技術
- SiCウェハの研削加工
- 研削加工の高速・鏡面化技術
- 研削工程の課題と新しい研削加工技術
- SiCウェハの研磨加工
- 研磨加工と研削加工の特徴や違い
- 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
- SiCウェハのCMP加工
- CMPの高速化技術
- CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
- 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
- 加工変質層の評価技術
- 加工変質層の抑制技術
- SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
- 大口径化対応へ向けた解決策の検討
第2部 固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCのスラリーレス高能率ダメージフリー研磨
(2023年10月10日 13:00〜14:30)
SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。
本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。
- 電気化学機械研磨 (Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP) の原理
- 研究開発の背景
- 陽極酸化によるSiC表面の改質
- SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
- 固定砥粒定盤を用いたECMP装置
- ECMPによる4H-SiCウエハの加工特性
- 表面ダメージと酸化レートの相関
- 電流密度と酸化レートの相関
- 表面歪みと酸化レートの相関
- 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性
- まとめ
第3部 CMPの測定、表面解析技術
(2023年10月10日 14:45〜16:15)
研磨後の平滑平面に対するナノスケール表面解析方法を紹介します。 試料表面状態を解析するための各種測定機器の基礎を解説し、目的に合わせた装置の選び方および適切な測定手法について理解を深める。
- 原子間力顕微鏡
- 原子間力顕微鏡の基礎と測定モード
- 測定精度とイメージ品質
- プローブ (探針) の選択方法
- イメージの質と探針の関係性
- 測定例の紹介
- 次元白色光干渉型顕微鏡
- 3次元白色光干渉型顕微鏡の基礎
- CMPサンプルへの応用例
- AFM-IR (ナノスケール赤外分光技術)
- AFM-IRの基礎と測定原理
- AFM-IRの適用分野
- 半導体デバイスの測定事例
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
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