半導体製造は、成膜、リソグラフィー、エッチングの繰り返しによって半導体ウェハ上に素子を作り込むものであり、エッチングは必要不可欠である。エッチングには、プラズマを用いたドライエッチングと、薬液を用いたウェットエッチングがある。このうちドライエッチングは、パターン寸法の正確な転写に優れており、パターン形成の主流となっている。一方、ウェットエッチングは、低損傷性や高選択性に優れており、低損傷加工が重要となる化合物半導体デバイスの製造工程やウェハ洗浄工程など、様々な場面で用いられている。
本講座では、化合物半導体やシリコン系材料を中心とした各種材料のウェットエッチングについて、基本的なエッチング液の組成やエッチング形状、各種材料のエッチング方法を説明する。また、半導体デバイスのトレンドとエッチングの先端課題を紹介し、ウェット代替え技術についても紹介する。
- 半導体デバイスの構造と製造プロセス
- デバイスの構造
- デバイス製造プロセス
- 製造プロセスにおける洗浄
- デバイス製造プロセスにおけるエッチング
- エッチングとは
- ドライエッチングとウェットエッチング
- ドライエッチングとウェットエッチングの比較
- ウェットエッチングの基礎
- エッチング液
- 選択性
- 律速過程
- エッチング形状
- 各種材料のウェットエッチング
- Si, InP, GaAs, GaN
- SiO2, Si3N4
- 半導体デバイスのトレンドと先端課題
- デバイスのトレンド
- エッチングの先端課題
- ウェット代替え技術
- ウェットエッチングの開発事例
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