本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術、そして最先端の原子層エッチング技術までを、メーカで化合物半導体光デバイスの製造プロセスやシリコンLSI向けエッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説いたします。
日時
- 2023年8月31日 13時00分〜 2023年8月31日 17時00分
プログラム
半導体製造は、成膜、リソグラフィー、エッチングの繰り返しによって半導体ウェハ上に素子を作り込むものであり、エッチングは必要不可欠である。エッチングには、プラズマを用いたドライエッチングと、薬液を用いたウェットエッチングがある。このうちドライエッチングは、パターン寸法の正確な転写に優れており、パターン形成の主流となっている。一方、ウェットエッチングは、低損傷性や高選択性に優れており、低損傷加工が重要となる化合物半導体デバイスの製造工程やウェハ洗浄工程など、様々な場面で用いられている。 本講座では、化合物半導体やシリコン系材料を中心とした各種材料のウェットエッチングについて、基本的なエッチング液の組成やエッチング形状、各種材料のエッチング方法を説明する。また、半導体デバイスのトレンドとエッチングの先端課題を紹介し、ウェット代替え技術についても紹介する。
- 半導体デバイスの構造と製造プロセス
- デバイスの構造
- デバイス製造プロセス
- 製造プロセスにおける洗浄
- デバイス製造プロセスにおけるエッチング
- エッチングとは
- ドライエッチングとウェットエッチング
- ドライエッチングとウェットエッチングの比較
- ウェットエッチングの基礎
- エッチング液
- 選択性
- 律速過程
- エッチング形状
- 各種材料のウェットエッチング
- Si, InP, GaAs, GaN
- SiO2, Si3N4
- 半導体デバイスのトレンドと先端課題
- デバイスのトレンド
- エッチングの先端課題
- ウェット代替え技術
- ウェットエッチングの開発事例
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
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案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 35,000円(税別) / 38,500円(税込) で受講いただけます。
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- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 35,000円(税別) / 38,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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- Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。