半導体デバイスで良品を作るためのクリーン化技術

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本セミナーでは、汚染物質と微粒子がデバイス性能に与える影響を明らかにし、そのために必要なテクノロジーを解説いたします。

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プログラム

クリーン化と一言で言っているが、実際には、直径0.1nmの汚染原子と微粒子と呼ばれる直径0.1μmレベル (10の9乗個の原子集団) は峻別して捉え、それぞれデバイス性能とどのような関係があるのかを明快に理解し、それに対する適切な対策をとらなければならない。  本講演では、汚染物質と微粒子がデバイス性能に与える影響を明らかにし、そのために必要なテクノロジーを解説する。  本講演内容を把握することで、クリーン化技術全体が理解でき、現場対策だけでなく、プロセス技術者や広く半導体に関連する業務の基礎素養として、役立つ内容となっている。

  1. はじめに 〜半導体におけるクリーン度の物理〜
  2. デバイス性能に影響を及ぼす汚染とその実態
    1. 原子レベル汚染物質の解説 (イールド劣化要因、ファブ内ウェハへのダメージ)
      • ボロン
      • リン
      • 重金属
      • ナトリウム
      • 塩素
      • アンモニア
      • 炭素
      • 酸素
    2. 微粒子の解説
      1. 大気中浮遊微粒子
      2. 装置内発生コンタミ
  3. クリーン化技術
    1. クリーンルーム技術
      • 発塵源としての人
      • 発塵を抑えるクリーンスーツ
      • 発塵を抑えるクリーンルーム技術
      • 発塵を抑える人動作
    2. 局所クリーン化技術
      1. 垂れ壁方式
      2. 200mmファブ、300mmファブでの局所クリーン化
    3. ウェハクリーン化技術
      1. ウェハ洗浄技術
      2. ウォーターマークと乾燥技術
      3. 溶存酸素抑制技術
    4. ミニマルファブ技術
      1. ミニマルファブの概念と概要
      2. ミニマルファブで開発された、クリーンルームを不要とする局所クリーン化技術
      3. ミニマルファブでのクリーン度の性能
      4. ミニマルファブで進化したクリーン化技術

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