プラズマCVD (化学気相堆積) 装置による高品質薄膜の成膜技術、及び量産化対応

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本セミナーでは、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心に紹介いたします。

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プログラム

当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

  1. プラズマCVD装置の基本構造
    1. プラズマCVD装置の構成
    2. 反応チャンバーの基本構成
  2. プラズマCVD装置の用途
    1. 適用アプリケーション
  3. プラズマCVD装置のプロセス性能
    1. SiH4系SiO2膜
    2. SiH4系SiN膜
    3. SiH4系SiON膜
    4. SiH4系a – Si膜
    5. SiH4系SiC膜
    6. TEOS系SiO2膜
    7. 液体ソース系SiN膜
  4. 開発用装置と量産用装置
    1. プラットフォーム
  5. プラズマCVD装置の課題と対策
    1. 高レート化
    2. プロセスの再現性
    3. 低パーティクル
    4. チャンバークリーニング
    5. ウェーハ温度の低温化
    6. ウェーハ大口径化 など

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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