三次元実装・集積化技術の基礎と応用

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本セミナーでは、新世代のAIチップなどでも期待される三次元積層型の立体集積回路 (3D-IC) の特徴とその必要性や分類、作製方法について分かりやすく解説いたします。

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プログラム

TSVを使わないFOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) とTSVを使ったCoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) 技術の二分化から、両者を融合する技術や新しいインターポーザが続々と登場し、半導体システムの性能をエレクトロニクス実装が握る時代になっている。半田レスのハイブリッド接合技術なども含めて三次元実装・集積化技術の基礎と応用を解説する。

  1. 先端半導体パッケージの背景
  2. 三次元積層型集積回路 (3D-IC) の基礎
    1. 3D-ICの概要と歴史
    2. 3D-ICの分類
    3. TSV形成技術
    4. 接合・積層技術
    5. ウエハ薄化技術
    6. ハイブリッド接合技術
  3. 3D-ICの応用と先端半導体パッケージング技術
    1. 三次元イメージセンサ技術
    2. HBM (High-Bandwidth Memory) 技術
    3. Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 技術
    4. 2.5Dシリコンインターポーザ技術
    5. 2.3D有機インターポーザ技術
    6. Siブリッジ技術
    7. チップレット技術
  4. Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP)
    1. FOWLPの概要と歴史
    2. FOWLPの分類と特徴
      • Die-first
      • RDL-first
      • InFO
    3. FOWLPの課題
    4. FOWLPの研究開発動向
  5. 世界最大の半導体パッケージング技術国際会議 ECTCの動向

受講料

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また、2名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり半額の 18,000円(税別) / 19,800円(税込)となります。

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