現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H – SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属 – 酸化膜 – 半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
- SiCパワー半導体開発の現状 (10:30〜12:00)
- SiCパワー半導体開発の背景
- 環境・エネルギー技術としての位置付け
- SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
- SiCパワー半導体開発の歴史
- SiCパワー半導体開発の黎明期
- SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
- SiCパワー半導体開発の現状と動向
- SiCパワー半導体の市場
- SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
- SiCパワー半導体関連の最近のニュース
- SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
- SiC単結晶とは?
- SiC単結晶の物性と特長
- SiC単結晶の各種デバイス応用
- SiCパワーデバイスの最近の進展
- SiCパワーデバイスの特長
- SiCパワーデバイス (SBD、MOSFET) の現状
- SiCパワーデバイスのシステム応用
- SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望 (12:45〜14:20)
- SiC単結晶のバルク結晶成長
- SiC単結晶成長の熱力学
- 昇華再結晶法
- 溶液成長法
- 高温CVD法 (ガス法)
- その他成長法
- SiC単結晶ウェハの加工技術
- SiC単結晶ウェハの加工プロセス
- SiC単結晶の切断技術
- SiC単結晶ウェハの研磨技術
- SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
- SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
- SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
- SiC単結晶ウェハ製造の技術課題 (14:30〜16:00)
- SiC単結晶のポリタイプ制御
- SiC単結晶のポリタイプ現象
- 各種ポリタイプの特性
- SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
- SiC単結晶中の拡張欠陥
- 各種拡張欠陥の分類
- 拡張欠陥の評価法
- SiC単結晶のウェハ加工
- ウェハ加工の技術課題
- ウェハ加工技術の現状
- SiCエピタキシャル薄膜成長
- エピタキシャル薄膜成長の技術課題
- エピタキシャル薄膜成長技術の現状
- SiC単結晶ウェハの電気特性制御
- 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
- 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
- SiC単結晶ウェハの高品質化
- マイクロパイプ欠陥の低減
- 貫通転位の低減
- 基底面転位の低減
- まとめ
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,200円(税別) / 37,620円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
- 他の割引は併用できません。
- サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。
アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
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