本セミナーでは、Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説いたします。
日時
- 2023年4月26日 12時30分〜 2023年4月30日 16時30分
開催予定
プログラム
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状90%以上がSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイス性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。 本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について解説します。
- パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
- パワーエレクトロニクスへの期待
- パワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスによる電力変換
- パワーデバイスの高性能化
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップの構造
- パワーモジュールの構造
- パワーデバイスの製造プロセス
- Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
- Siパワーデバイスの技術開発
- SiCパワーデバイスの技術開発
- GaNパワーデバイスの技術開発
- 酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発
- 電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史
- 世界のパワーデバイスの状況
- 日本のパワーデバイスの将来展望
- まとめ
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
アーカイブ配信セミナー
- 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
- 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
- 視聴期間は2023年4月13日〜30日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。