パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状90%以上がSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイス性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について解説します。
- パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
- パワーエレクトロニクスへの期待
- パワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスによる電力変換
- パワーデバイスの高性能化
- パワーチップおよびパワーモジュールの構造
- パワーチップの構造
- パワーモジュールの構造
- パワーデバイスの製造プロセス
- Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
- Siパワーデバイスの技術開発
- SiCパワーデバイスの技術開発
- GaNパワーデバイスの技術開発
- 酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発
- 電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
- 日本の電子デバイス盛衰の歴史
- 世界のパワーデバイスの状況
- 日本のパワーデバイスの将来展望
- まとめ
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