第1部 SiCウェハの加工 (切断、研削、研磨) 技術とその評価
(2023年3月14日 10:30〜14:30) 途中、昼休みを含む
高出力で低損失な電力制御システムにSiCパワー半導体が普及始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要な技術分野として産業化加速が見込まれる。本セミナーではSiCウェハ加工工程の技術開発動向について解説し、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。
- SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
- SiCウェハ加工技術
- SiCウェハ加工工程と技術課題
- SiC単結晶の切断技術
- 切断工程の高速化技術
- 切断工程の課題と新しい切断技術
- SiCウェハの研削加工
- 研削加工の高速・鏡面化技術
- 研削工程の課題と新しい研削加工技術
- SiCウェハの研磨加工
- 研磨加工と研削加工の特徴や違い
- 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
- SiCウェハのCMP加工
- CMPの高速化技術
- CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
- 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
- 加工変質層の評価技術
- 加工変質層の抑制技術
- SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
- 大口径化対応へ向けた解決策の検討
第2部 固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法
(2023年3月14日 14:45〜16:15)
SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。
本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。
- 電気化学機械研磨 (Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP) の原理
- 研究開発の背景
- 陽極酸化によるSiC表面の改質
- SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
- 固定砥粒定盤を用いたECMP装置
- ECMPによる4H – SiCウエハの加工特性
- 表面ダメージと酸化レートの相関
- 電流密度と酸化レートの相関
- 表面歪みと酸化レートの相関
- 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性
- まとめ
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。
アカデミック割引
- 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
- 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
- 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
- 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
- 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
- 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
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